Продукція > ONSEMI > NST857BMX2T5G
NST857BMX2T5G

NST857BMX2T5G onsemi

nst857amx2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.37 грн
16000+2.95 грн
24000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NST857BMX2T5G onsemi

Description: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції NST857BMX2T5G за ціною від 2.96 грн до 25.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NST857BMX2T5G NST857BMX2T5G onsemi nst857amx2-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 167790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.44 грн
22+13.77 грн
100+8.59 грн
500+5.95 грн
1000+5.27 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BMX2T5G onsemi nst857amx2-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+25.24 грн
21+15.16 грн
100+8.30 грн
500+5.78 грн
1000+4.82 грн
2500+4.44 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BMX2T5G nst857amx2-d.pdf
NST857BMX2T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 167790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.44 грн
22+13.77 грн
100+8.59 грн
500+5.95 грн
1000+5.27 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NST857BMX2T5G nst857amx2-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 45 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883 100 mA, 45 V
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.24 грн
21+15.16 грн
100+8.30 грн
500+5.78 грн
1000+4.82 грн
2500+4.44 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.