NSTB1002DXV5T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSTB1002DXV5T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-553.
Інші пропозиції NSTB1002DXV5T1G за ціною від 4.63 грн до 32.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSTB1002DXV5T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-553 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSTB1002DXV5T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-553 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSTB1002DXV5T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NSTB1002DXV5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NSTB1002DXV5T1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.83 грн |
| 8000+ | 5.98 грн |
| 12000+ | 5.68 грн |
| 20000+ | 5.01 грн |
| 28000+ | 4.82 грн |
| 40000+ | 4.63 грн |
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.47 грн |
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


