NSTB1002DXV5T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4063+ | 5.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSTB1002DXV5T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-553.
Інші пропозиції NSTB1002DXV5T1G за ціною від 4.70 грн до 36.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-553 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-553 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
NSTB1002DXV5T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |