Продукція > ONSEMI > NSTB1002DXV5T1G
NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G onsemi

nstb1002dxv5-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4063+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 4063 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSTB1002DXV5T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-553.

Інші пропозиції NSTB1002DXV5T1G за ціною від 4.74 грн до 33.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSTB1002DXV5T1G NSTB1002DXV5T1G onsemi nstb1002dxv5-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.99 грн
8000+6.12 грн
12000+5.81 грн
20000+5.13 грн
28000+4.93 грн
40000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G NSTB1002DXV5T1G onsemi NSTB1002DXV5_D-1813906.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.22 грн
100+17.86 грн
500+12.31 грн
1000+10.34 грн
2000+6.40 грн
4000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G NSTB1002DXV5T1G onsemi nstb1002dxv5-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor nstb1002dxv5-d.pdf
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G nstb1002dxv5-d.pdf
NSTB1002DXV5T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.99 грн
8000+6.12 грн
12000+5.81 грн
20000+5.13 грн
28000+4.93 грн
40000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G NSTB1002DXV5_D-1813906.pdf
NSTB1002DXV5T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.22 грн
100+17.86 грн
500+12.31 грн
1000+10.34 грн
2000+6.40 грн
4000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G nstb1002dxv5-d.pdf
NSTB1002DXV5T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB1002DXV5T1G nstb1002dxv5-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.