Продукція > ONSEMI > NSTB60BDW1T1
NSTB60BDW1T1

NSTB60BDW1T1 onsemi


nstb60bdw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 11970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5323+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSTB60BDW1T1 onsemi

Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 140MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції NSTB60BDW1T1 за ціною від 4.69 грн до 4.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSTB60BDW1T1 Виробник : ONSEMI ONSMS05997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1 - NSTB60BDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB60BDW1T1 Виробник : ON Semiconductor nstb60bdw1t1-d.pdf
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB60BDW1T1 NSTB60BDW1T1 Виробник : onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.