Продукція > ONSEMI > NSTB60BDW1T1

NSTB60BDW1T1 onsemi


nstb60bdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
на замовлення 11970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5323+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSTB60BDW1T1 onsemi

Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSTB60BDW1T1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSTB60BDW1T1 ON Semiconductor nstb60bdw1t1-d.pdf
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB60BDW1T1 nstb60bdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.