Продукція > ONSEMI > NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1G onsemi


NSTB60BDW1T1-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS GP XSTR NPN
на замовлення 8997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.94 грн
32+10.29 грн
100+5.64 грн
500+4.09 грн
1000+3.45 грн
3000+2.96 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSTB60BDW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSTB60BDW1T1G за ціною від 3.88 грн до 17.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSTB60BDW1T1G NSTB60BDW1T1G onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
30+10.31 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB60BDW1T1G nstb60bdw1t1-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB60BDW1T1G nstb60bdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
30+10.31 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSTB60BDW1T1G nstb60bdw1t1-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.