NSV12100XV6T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV12100XV6T1G onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 650 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: SOT-563, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V.
Інші пропозиції NSV12100XV6T1G за ціною від 9.66 грн до 58.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSV12100XV6T1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563 Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-563 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSV12100XV6T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NSV12100XV6T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.68 грн |
| 10+ | 35.20 грн |
| 100+ | 22.69 грн |
| 500+ | 16.24 грн |
| 1000+ | 14.62 грн |
| 2000+ | 13.25 грн |
| NSV12100XV6T1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.14 грн |
| 11+ | 29.83 грн |
| 100+ | 17.69 грн |
| 500+ | 13.89 грн |
| 1000+ | 11.56 грн |
| 4000+ | 10.64 грн |
| 8000+ | 9.66 грн |