Продукція > ONSEMI > NSV12100XV6T1G

NSV12100XV6T1G onsemi


nss12100xv6-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV12100XV6T1G onsemi

Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-563, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 650 mW.

Інші пропозиції NSV12100XV6T1G за ціною від 10.15 грн до 57.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV12100XV6T1G NSV12100XV6T1G onsemi nss12100xv6-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.82 грн
10+34.68 грн
100+22.36 грн
500+16.01 грн
1000+14.40 грн
2000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1G onsemi NSS12100XV6_D-2318638.pdf Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+47.45 грн
10+31.35 грн
100+18.59 грн
500+14.59 грн
1000+12.15 грн
4000+11.19 грн
8000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1G nss12100xv6-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.82 грн
10+34.68 грн
100+22.36 грн
500+16.01 грн
1000+14.40 грн
2000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12100XV6T1G NSS12100XV6_D-2318638.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.45 грн
10+31.35 грн
100+18.59 грн
500+14.59 грн
1000+12.15 грн
4000+11.19 грн
8000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.