Продукція > ONSEMI > NSV12200LT1G

NSV12200LT1G onsemi


nss12200l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.93 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV12200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 540 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSV12200LT1G за ціною від 9.44 грн до 57.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSV12200LT1G NSV12200LT1G onsemi NSS12200L_D-2318264.pdf Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.58 грн
12+29.42 грн
100+17.41 грн
500+13.67 грн
1000+12.19 грн
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSV12200LT1G onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.67 грн
100+22.35 грн
500+16.00 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSS12200L_D-2318264.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.58 грн
12+29.42 грн
100+17.41 грн
500+13.67 грн
1000+12.19 грн
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G nss12200l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.88 грн
10+34.67 грн
100+22.35 грн
500+16.00 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.