Продукція > ONSEMI > NSV12200LT1G
NSV12200LT1G

NSV12200LT1G onsemi

nss12200l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.94 грн
6000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV12200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 540 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSV12200LT1G за ціною від 9.83 грн до 57.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV12200LT1G NSV12200LT1G Виробник : onsemi NSS12200L_D-2318264.pdf Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.38 грн
12+30.64 грн
100+18.13 грн
500+14.24 грн
1000+12.70 грн
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSV12200LT1G Виробник : onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.95 грн
10+34.71 грн
100+22.38 грн
500+16.01 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSV12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSV12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.