Продукція > ONSEMI > NSV1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G

NSV1C200MZ4T1G onsemi

nss1c200mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+17.53 грн
2000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C200MZ4T1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSV1C200MZ4T1G за ціною від 12.05 грн до 46.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G onsemi NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.62 грн
10+39.96 грн
100+24.11 грн
500+18.61 грн
1000+15.65 грн
2000+12.97 грн
10000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G onsemi nss1c200mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
10+38.33 грн
100+26.61 грн
500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G ON Semiconductor NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf
NSV1C200MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+46.62 грн
10+39.96 грн
100+24.11 грн
500+18.61 грн
1000+15.65 грн
2000+12.97 грн
10000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
NSV1C200MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.78 грн
10+38.33 грн
100+26.61 грн
500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf
NSV1C200MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G nss1c200mz4-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.