Продукція > ONSEMI > NSV1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G

NSV1C200MZ4T1G onsemi

nss1c200mz4-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.22 грн
2000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C200MZ4T1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSV1C200MZ4T1G за ціною від 13.03 грн до 50.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G Виробник : onsemi nss1c200mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.62 грн
10+39.84 грн
100+27.66 грн
500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G Виробник : onsemi NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.40 грн
10+43.19 грн
100+26.06 грн
500+20.11 грн
1000+16.91 грн
2000+14.02 грн
10000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor NSS1C200MZ4_D-2318780.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C200MZ4T1G NSV1C200MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c200mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.