NSV1C201LT1G

NSV1C201LT1G ON Semiconductor


nss1c201l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C201LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

Інші пропозиції NSV1C201LT1G за ціною від 11.30 грн до 43.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.84 грн
6000+12.65 грн
9000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+33.79 грн
100+23.49 грн
500+17.21 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Виробник : onsemi NSS1C201L_D-2318370.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.84 грн
10+37.14 грн
100+22.75 грн
500+17.76 грн
1000+14.38 грн
3000+12.04 грн
9000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.