Продукція > ONSEMI > NSV1C201LT1G
NSV1C201LT1G

NSV1C201LT1G onsemi

nss1c201l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Power - Max: 490 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.42 грн
6000+12.26 грн
9000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C201LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3, Power - Max: 490 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 110MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSV1C201LT1G за ціною від 13.56 грн до 40.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
10+32.76 грн
100+22.77 грн
500+16.69 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G onsemi NSS1C201L_D-2318370.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSV1C201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
10+32.76 грн
100+22.77 грн
500+16.69 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G NSS1C201L_D-2318370.pdf
NSV1C201LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.