Продукція > ONSEMI > NSV1C201MZ4T1G
NSV1C201MZ4T1G

NSV1C201MZ4T1G onsemi

nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.07 грн
2000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C201MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 800mW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NSV1C201MZ4T1G за ціною від 18.12 грн до 64.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.44 грн
2000+22.03 грн
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.58 грн
2000+22.15 грн
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.72 грн
100+25.15 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ONSEMI 2237003.pdf Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ONSEMI 2237003.pdf Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1523+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.44 грн
2000+22.03 грн
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.58 грн
2000+22.15 грн
3000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.27 грн
10+38.72 грн
100+25.15 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G 2237003.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G 2237003.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.