Продукція > ONSEMI > NSV1C201MZ4T1G
NSV1C201MZ4T1G

NSV1C201MZ4T1G onsemi

nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+17.03 грн
2000+14.90 грн
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C201MZ4T1G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSV1C201MZ4T1G за ціною від 11.71 грн до 62.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+36.41 грн
100+23.67 грн
500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G onsemi NSS1C201MZ4-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
на замовлення 14348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.92 грн
10+38.50 грн
100+21.77 грн
500+16.74 грн
1000+14.67 грн
2000+12.95 грн
5000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G ONN nss1c201mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.22 грн
10+36.41 грн
100+23.67 грн
500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4-D.PDF
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
на замовлення 14348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.92 грн
10+38.50 грн
100+21.77 грн
500+16.74 грн
1000+14.67 грн
2000+12.95 грн
5000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.