NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSV1C201MZ4T1G за ціною від 12.92 грн до 74.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor |
на замовлення 14348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSV1C201MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |