Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSV1C201MZ4T1G

NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor

Name: NSV1C201MZ4T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1052644-7
Price: 14940.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSV1C201MZ4T1G за ціною від 12.50 грн до 75.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	18.45 грн
2000+	16.15 грн
3000+	15.33 грн
5000+	13.51 грн
7000+	13.00 грн
10000+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1523+	20.42 грн

Мінімальне замовлення: 1523

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	21.49 грн
2000+	19.37 грн
3000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	23.16 грн
2000+	20.87 грн
3000+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	38.93 грн
200+	28.79 грн
500+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 11025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	66.34 грн
10+	39.46 грн
100+	25.65 грн
500+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

на замовлення 14348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	70.92 грн
10+	43.39 грн
100+	24.53 грн
500+	18.86 грн
1000+	16.54 грн
2000+	14.59 грн
5000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	75.94 грн
19+	46.85 грн
50+	38.93 грн
200+	28.79 грн
500+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NSV1C201MZ4T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.