Продукція > ONSEMI > NSV1C201MZ4T1G
NSV1C201MZ4T1G

NSV1C201MZ4T1G onsemi

nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.18 грн
2000+15.04 грн
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C201MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSV1C201MZ4T1G за ціною від 17.21 грн до 61.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.39 грн
2000+21.98 грн
3000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.53 грн
2000+22.10 грн
3000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.78 грн
10+36.75 грн
100+23.89 грн
500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G onsemi nss1c201mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ONSEMI 2237003.pdf Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G NSV1C201MZ4T1G ONSEMI 2237003.pdf Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G ONN nss1c201mz4-d.pdf
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1523+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.39 грн
2000+21.98 грн
3000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.53 грн
2000+22.10 грн
3000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.78 грн
10+36.75 грн
100+23.89 грн
500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G 2237003.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G 2237003.pdf
NSV1C201MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C201MZ4T1G nss1c201mz4-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.