Продукція > ONSEMI > NSV1C301ET4G-VF01
NSV1C301ET4G-VF01

NSV1C301ET4G-VF01 onsemi

NSS1C301E_D-278477.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.45 грн
10+55.17 грн
100+36.74 грн
500+29.07 грн
1000+23.29 грн
2500+21.06 грн
5000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C301ET4G-VF01 onsemi

Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSV1C301ET4G-VF01 за ціною від 34.98 грн до 84.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 Виробник : ONSEMI nss1c301e-d.pdf Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.60 грн
16+53.04 грн
100+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 Виробник : onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 Виробник : ONSEMI nss1c301e-d.pdf Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 Виробник : onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.