Продукція > ONSEMI > NSV1C301ET4G
NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G onsemi

nss1c301e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.28 грн
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C301ET4G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2.1 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSV1C301ET4G за ціною від 18.61 грн до 82.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSV1C301ET4G NSV1C301ET4G onsemi NSS1C301E_D-2318170.pdf Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.44 грн
10+51.71 грн
100+31.15 грн
500+26.01 грн
1000+22.13 грн
2500+19.66 грн
5000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G NSV1C301ET4G onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.46 грн
10+49.63 грн
100+32.68 грн
500+23.82 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G NSS1C301E_D-2318170.pdf
NSV1C301ET4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.44 грн
10+51.71 грн
100+31.15 грн
500+26.01 грн
1000+22.13 грн
2500+19.66 грн
5000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV1C301ET4G nss1c301e-d.pdf
NSV1C301ET4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.46 грн
10+49.63 грн
100+32.68 грн
500+23.82 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.