Продукція > ONSEMI > NSV40200UW6T1G
NSV40200UW6T1G

NSV40200UW6T1G onsemi

nss40200uw6-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.61 грн
6000+ 19.71 грн
9000+ 18.25 грн
30000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV40200UW6T1G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSV40200UW6T1G за ціною від 21.92 грн до 56.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G Виробник : onsemi nss40200uw6-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 47.45 грн
100+ 32.85 грн
500+ 25.76 грн
1000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV40200UW6T1G Виробник : ONSEMI NSS40200UW6-D.PDF Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV40200UW6T1G Виробник : ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G Виробник : ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G Виробник : ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSV40200UW6T1G Виробник : onsemi NSS40200UW6_D-2318402.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -40 V, 4.0 A
товар відсутній