 
NSV40201LT1G ON Semiconductor
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3178+ | 9.74 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV40201LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018). 
Інші пропозиції NSV40201LT1G за ціною від 8.32 грн до 47.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NSV40201LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NSV40201LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2945 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NSV40201LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NSV40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2945 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NSV40201LT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 6021 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NSV40201LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 5065 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NSV40201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | NSV40201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності |