Продукція > ONSEMI > NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G onsemi

Name: NSV40300MDR2G
Brand: onsemi
SKU: 45143460-3
Price: 371.52 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	61.92 грн
10+	49.23 грн
100+	38.27 грн
500+	30.44 грн
1000+	24.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSV40300MDR2G onsemi

Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NSV40300MDR2G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NSV40300MDR2G	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSV40300MDR2G	Виробник : onsemi	Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSV40300MDR2G	Виробник : onsemi	Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.