NSV40302PDR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Power - Max: 653mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.67 грн |
| 10+ | 49.70 грн |
| 100+ | 34.43 грн |
| 500+ | 27.00 грн |
| 1000+ | 22.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV40302PDR2G onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 8-SOIC, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Power - Max: 653mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Інші пропозиції NSV40302PDR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSV40302PDR2G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO |
на замовлення 30221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSV40302PDR2G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
Bipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
на замовлення 30221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)