NSV40302PDR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.85 грн |
| 10+ | 52.35 грн |
| 100+ | 36.27 грн |
| 500+ | 28.44 грн |
| 1000+ | 24.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV40302PDR2G onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NSV40302PDR2G за ціною від 18.79 грн до 95.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSV40302PDR2G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO |
на замовлення 31541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSV40302PDR2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |