Продукція > ONSEMI > NSV60101DMTWTBG

NSV60101DMTWTBG onsemi


nss60101dmt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60101DMTWTBG onsemi

Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.27W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).

Інші пропозиції NSV60101DMTWTBG за ціною від 7.85 грн до 43.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV60101DMTWTBG NSV60101DMTWTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.80 грн
10+36.53 грн
100+25.28 грн
500+19.83 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBG NSV60101DMTWTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBG ON Semiconductor nss60101dmt-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.21 грн
76+9.94 грн
77+9.79 грн
79+9.29 грн
100+8.46 грн
250+7.98 грн
500+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBG nss60101dmt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.80 грн
10+36.53 грн
100+25.28 грн
500+19.83 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBG nss60101dmt-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60101DMTWTBG nss60101dmt-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.21 грн
76+9.94 грн
77+9.79 грн
79+9.29 грн
100+8.46 грн
250+7.98 грн
500+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.