Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSV60200LT1G
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G ON Semiconductor

nss60200l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
479+25.44 грн
791+15.40 грн
799+15.25 грн
854+13.75 грн
1300+8.36 грн
3000+7.30 грн
6000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60200LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.

Інші пропозиції NSV60200LT1G за ціною від 5.97 грн до 36.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.15 грн
26+23.62 грн
100+13.79 грн
250+12.64 грн
500+11.35 грн
1000+7.45 грн
3000+6.77 грн
6000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+26.37 грн
100+15.79 грн
500+13.72 грн
1000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi NSS60200L_D-2318436.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
13+28.11 грн
100+13.58 грн
1000+9.25 грн
3000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.