NSV60200LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 479+ | 30.48 грн |
| 791+ | 18.45 грн |
| 799+ | 18.27 грн |
| 854+ | 16.47 грн |
| 1300+ | 10.02 грн |
| 3000+ | 8.74 грн |
| 6000+ | 7.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
479 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV60200LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.
Інші пропозиції NSV60200LT1G за ціною від 7.63 грн до 45.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSV60200LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSV60200LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSV60200LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A |
на замовлення 4511 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| NSV60200LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.38 грн |
| 12+ | 25.96 грн |
| 100+ | 15.54 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| NSV60200LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.91 грн |
| 26+ | 30.48 грн |
| 100+ | 17.80 грн |
| 250+ | 16.31 грн |
| 500+ | 14.64 грн |
| 1000+ | 9.62 грн |
| 3000+ | 8.74 грн |
| 6000+ | 7.70 грн |
| NSV60200LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.37 грн |
| 12+ | 27.52 грн |
| 100+ | 15.26 грн |
| 500+ | 11.63 грн |
| 1000+ | 10.22 грн |
| 3000+ | 9.19 грн |
| 6000+ | 7.63 грн |





