Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSV60200LT1G
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G ON Semiconductor

nss60200l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
479+25.32 грн
791+15.33 грн
799+15.17 грн
854+13.68 грн
1300+8.32 грн
3000+7.26 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60200LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.

Інші пропозиції NSV60200LT1G за ціною від 6.85 грн до 46.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.63 грн
26+27.12 грн
100+15.84 грн
250+14.52 грн
500+13.03 грн
1000+8.56 грн
3000+7.78 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.42 грн
12+27.50 грн
100+16.46 грн
500+14.30 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.86 грн
13+28.42 грн
100+15.76 грн
500+12.01 грн
1000+10.56 грн
3000+9.49 грн
6000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.