Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSV60200LT1G
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G ON Semiconductor

nss60200l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
479+29.36 грн
791+17.78 грн
799+17.60 грн
854+15.87 грн
1300+9.65 грн
3000+8.42 грн
6000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60200LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Power - Max: 460 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSV60200LT1G за ціною від 7.42 грн до 37.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV60200LT1G NSV60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.87 грн
12+25.57 грн
100+15.31 грн
500+13.30 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.48 грн
26+29.36 грн
100+17.14 грн
250+15.71 грн
500+14.11 грн
1000+9.26 грн
3000+8.42 грн
6000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSV60200LT1G onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSV60200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.87 грн
12+25.57 грн
100+15.31 грн
500+13.30 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSV60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.48 грн
26+29.36 грн
100+17.14 грн
250+15.71 грн
500+14.11 грн
1000+9.26 грн
3000+8.42 грн
6000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60200LT1G NSS60200L_D-1813768.pdf
NSV60200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.