Продукція > ONSEMI > NSV60201LT1G

NSV60201LT1G onsemi


nss60201l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.43 грн
13+23.60 грн
100+15.08 грн
500+10.69 грн
1000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60201LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.

Інші пропозиції NSV60201LT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV60201LT1G NSV60201LT1G onsemi nss60201l-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60201LT1G nss60201l-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.