Продукція > ONSEMI > NSV60601MZ4T1G
NSV60601MZ4T1G

NSV60601MZ4T1G ONSEMI

nss60601mz4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.75 грн
500+22.78 грн
1000+18.92 грн
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60601MZ4T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSV60601MZ4T1G за ціною від 12.45 грн до 78.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV60601MZ4T1G NSV60601MZ4T1G onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.51 грн
10+36.11 грн
100+25.02 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G NSV60601MZ4T1G onsemi NSS60601MZ4-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 155832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.77 грн
10+37.04 грн
100+22.79 грн
500+18.71 грн
1000+14.91 грн
2000+12.59 грн
5000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G NSV60601MZ4T1G ONSEMI nss60601mz4-d.pdf Description: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.03 грн
17+48.65 грн
100+31.75 грн
500+22.78 грн
1000+18.92 грн
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSV60601MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.51 грн
10+36.11 грн
100+25.02 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G NSS60601MZ4-D.PDF
NSV60601MZ4T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 155832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.77 грн
10+37.04 грн
100+22.79 грн
500+18.71 грн
1000+14.91 грн
2000+12.59 грн
5000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSV60601MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.03 грн
17+48.65 грн
100+31.75 грн
500+22.78 грн
1000+18.92 грн
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.