Продукція > ONSEMI > NSV60601MZ4T3G

NSV60601MZ4T3G onsemi


nss60601mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+16.07 грн
8000+14.66 грн
12000+13.57 грн
28000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60601MZ4T3G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSV60601MZ4T3G за ціною від 14.52 грн до 42.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSV60601MZ4T3G NSV60601MZ4T3G onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
10+35.28 грн
100+24.43 грн
500+19.16 грн
1000+16.31 грн
2000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3G NSV60601MZ4T3G onsemi NSS60601MZ4-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3G nss60601mz4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
10+35.28 грн
100+24.43 грн
500+19.16 грн
1000+16.31 грн
2000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3G NSS60601MZ4-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.