NSV9435T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 21.61 грн |
| 2000+ | 18.96 грн |
| 3000+ | 18.02 грн |
| 5000+ | 15.92 грн |
| 7000+ | 15.34 грн |
| 10000+ | 14.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV9435T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 720 mW, Frequency - Transition: 110 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 Only.
Інші пропозиції NSV9435T1G за ціною від 15.53 грн до 83.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSV9435T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 720 mW Frequency - Transition: 110 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 20965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSV9435T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NSV9435T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NSV9435T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 300mV; 3A; 720mW; SOT223; 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.72W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 300mV Collector current: 3A Quantity in set/package: 1000pcs. Pulsed collector current: 5A Current gain: 220 Base resistor: 10kΩ Frequency: 110MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |