Продукція > ONSEMI > NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G onsemi

nsb1706dmw5t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.24 грн
6000+11.67 грн
9000+11.12 грн
15000+9.86 грн
21000+9.51 грн
30000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVB1706DMW5T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVB1706DMW5T1G за ціною від 9.45 грн до 56.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVB1706DMW5T1G NSVB1706DMW5T1G Виробник : onsemi nsb1706dmw5t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
10+33.89 грн
100+21.78 грн
500+15.55 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1G Виробник : onsemi NSB1706DMW5T1_D-2318232.pdf Digital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.24 грн
12+31.19 грн
100+18.82 грн
500+14.70 грн
1000+11.96 грн
3000+10.51 грн
9000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.