NSVBA123YMXWTBG onsemi
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.50 грн |
| 14+ | 21.69 грн |
| 100+ | 13.78 грн |
| 500+ | 9.73 грн |
| 1000+ | 8.69 грн |
| 2000+ | 7.82 грн |
| 5000+ | 6.76 грн |
| 10000+ | 6.19 грн |
| 50000+ | 5.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBA123YMXWTBG onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції NSVBA123YMXWTBG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVBA123YMXWTBG | onsemi |
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVBA123YMXWTBG |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)