
NSVBAT54LT1G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.45 грн |
6000+ | 3.85 грн |
9000+ | 3.63 грн |
15000+ | 3.17 грн |
21000+ | 3.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBAT54LT1G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 5 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVBAT54LT1G за ціною від 2.57 грн до 21.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVBAT54LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 21493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVBAT54LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 35261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NSVBAT54LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NSVBAT54LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |