Продукція > ONSEMI > NSVBC114EDXV6T1G
NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G onsemi


dtc114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.30 грн
20+16.68 грн
100+10.49 грн
500+7.33 грн
1000+6.51 грн
2000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC114EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBC114EDXV6T1G за ціною від 4.92 грн до 30.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBC114EDXV6T1G Виробник : onsemi DTC114ED-D.PDF Digital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.99 грн
20+18.69 грн
100+10.23 грн
500+7.61 грн
1000+6.74 грн
2000+6.10 грн
4000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1G NSVBC114EDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1G NSVBC114EDXV6T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EDXV6T1G Виробник : ONSEMI dtc114ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.