Продукція > ONSEMI > NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.79 грн
8000+5.05 грн
12000+4.79 грн
20000+4.22 грн
28000+4.05 грн
40000+3.89 грн
100000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC114EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBC114EPDXV6T1G за ціною від 5.81 грн до 28.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBC114EPDXV6T1G NSVBC114EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.24 грн
20+16.64 грн
100+10.46 грн
500+7.31 грн
1000+6.50 грн
2000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1G NSVBC114EPDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Dual Bias Resistor Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1G Виробник : onsemi DTC114EP-D.PDF Digital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.