Продукція > ONSEMI > NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G onsemi


dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.39 грн
8000+4.71 грн
12000+4.46 грн
20000+3.93 грн
28000+3.77 грн
40000+3.62 грн
100000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC114EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBC114EPDXV6T1G за ціною від 5.41 грн до 38.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVBC114EPDXV6T1G NSVBC114EPDXV6T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 103540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.71 грн
20+15.51 грн
100+9.75 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
2000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.53 грн
13+26.74 грн
100+14.73 грн
500+9.22 грн
1000+8.03 грн
2000+7.05 грн
4000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1G dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 103540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.71 грн
20+15.51 грн
100+9.75 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
2000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC114EPDXV6T1G dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.53 грн
13+26.74 грн
100+14.73 грн
500+9.22 грн
1000+8.03 грн
2000+7.05 грн
4000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.