Продукція > ONSEMI > NSVBC124EDXV6T1G

NSVBC124EDXV6T1G onsemi

Name: NSVBC124EDXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: 12547720-3
Price: 22273.68 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3146+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 3146

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSVBC124EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBC124EDXV6T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NSVBC124EDXV6T1G	Виробник : ON Semiconductor	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVBC124EDXV6T1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVBC124EDXV6T1G	Виробник : onsemi	Digital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.