Продукція > ONSEMI > NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G

NSVBC124EPDXV6T1G onsemi

dtc124ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.43 грн
8000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC124EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBC124EPDXV6T1G за ціною від 5.78 грн до 27.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVBC124EPDXV6T1G NSVBC124EPDXV6T1G onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.53 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
2000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1G NSVBC124EPDXV6T1G onsemi dtc124ep-d.pdf Digital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1G dtc124ep-d.pdf
NSVBC124EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.96 грн
19+16.53 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
2000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EPDXV6T1G dtc124ep-d.pdf
NSVBC124EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.