Продукція > ONSEMI > NSVBC143XMXWTBG
NSVBC143XMXWTBG

NSVBC143XMXWTBG onsemi

NSBCMXW-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.05 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC143XMXWTBG onsemi

Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSVBC143XMXWTBG за ціною від 9.18 грн до 38.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVBC143XMXWTBG NSVBC143XMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
14+22.88 грн
100+14.57 грн
500+10.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSVBC143XMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC143XMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.83 грн
14+22.88 грн
100+14.57 грн
500+10.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC143XMXWTBG
Виробник: onsemi
Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.