NSVBC817-16LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.52 грн |
| 1000+ | 3.42 грн |
| 5000+ | 2.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBC817-16LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSVBC817-16LT1G за ціною від 2.71 грн до 27.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVBC817-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSVBC817-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSVBC817-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSVBC817-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NSVBC817-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NSVBC817-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NSVBC817-16LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V |
товару немає в наявності |