Продукція > ONSEMI > NSVBC846BM3T5G
NSVBC846BM3T5G

NSVBC846BM3T5G ONSEMI


ONSM-S-A0013184351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.20 грн
1000+2.65 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC846BM3T5G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVBC846BM3T5G за ціною від 2.60 грн до 20.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : onsemi bc846bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.03 грн
112+7.38 грн
217+3.80 грн
500+3.20 грн
1000+2.65 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : onsemi BC846BM3_D-2309970.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 10559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.93 грн
32+10.55 грн
100+4.70 грн
1000+3.82 грн
8000+2.79 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : onsemi bc846bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 12885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
25+12.23 грн
100+7.65 грн
500+5.29 грн
1000+4.68 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.