Продукція > ONSEMI > NSVBC846BM3T5G
NSVBC846BM3T5G

NSVBC846BM3T5G onsemi

bc846bm3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.8 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC846BM3T5G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NSVBC846BM3T5G за ціною від 2.6 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVBC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.42 грн
43+ 17.6 грн
100+ 9.44 грн
500+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 35
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : onsemi bc846bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 17860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
18+ 16.06 грн
100+ 7.84 грн
500+ 6.14 грн
1000+ 4.27 грн
2000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : onsemi BC846BM3_D-2309970.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 22364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.09 грн
21+ 14.89 грн
100+ 6.08 грн
1000+ 3.81 грн
2500+ 3.2 грн
8000+ 2.67 грн
24000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній