Продукція > ONSEMI > NSVBC847BLT3G
NSVBC847BLT3G

NSVBC847BLT3G onsemi

bc846alt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+4.04 грн
20000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC847BLT3G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSVBC847BLT3G за ціною від 4.20 грн до 27.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVBC847BLT3G NSVBC847BLT3G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.36 грн
500+7.14 грн
1000+5.22 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G NSVBC847BLT3G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 23830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.93 грн
500+6.21 грн
1000+5.50 грн
2000+4.91 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G NSVBC847BLT3G onsemi bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 5796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.15 грн
20+16.86 грн
100+9.30 грн
500+7.05 грн
1000+5.92 грн
2500+5.50 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G NSVBC847BLT3G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.30 грн
50+16.61 грн
100+10.36 грн
500+7.14 грн
1000+5.22 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSVBC847BLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.36 грн
500+7.14 грн
1000+5.22 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G bc846alt1-d.pdf
NSVBC847BLT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 23830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.93 грн
500+6.21 грн
1000+5.50 грн
2000+4.91 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G bc846alt1-d.pdf
NSVBC847BLT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 5796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.15 грн
20+16.86 грн
100+9.30 грн
500+7.05 грн
1000+5.92 грн
2500+5.50 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BLT3G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSVBC847BLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+27.30 грн
50+16.61 грн
100+10.36 грн
500+7.14 грн
1000+5.22 грн
5000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.