Продукція > ONSEMI > NSVBC848CLT1G
NSVBC848CLT1G

NSVBC848CLT1G onsemi

bc846alt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.84 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC848CLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NSVBC848CLT1G за ціною від 1.48 грн до 10.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 85391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.31 грн
52+5.88 грн
100+3.63 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.61 грн
52+6.24 грн
100+3.38 грн
500+2.47 грн
1000+2.18 грн
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G ONSEMI 2907296.pdf Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+10.61 грн
130+6.36 грн
208+3.96 грн
500+2.70 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G ONSEMI 2907296.pdf Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.61 грн
130+6.36 грн
208+3.96 грн
500+2.70 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G bc846alt1-d.pdf
NSVBC848CLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 85391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.31 грн
52+5.88 грн
100+3.63 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G bc846alt1-d.pdf
NSVBC848CLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.61 грн
52+6.24 грн
100+3.38 грн
500+2.47 грн
1000+2.18 грн
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G 2907296.pdf
NSVBC848CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
78+10.61 грн
130+6.36 грн
208+3.96 грн
500+2.70 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G 2907296.pdf
NSVBC848CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.61 грн
130+6.36 грн
208+3.96 грн
500+2.70 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.