Продукція > ONSEMI > NSVBC848CLT1G
NSVBC848CLT1G

NSVBC848CLT1G onsemi

bc846alt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.92 грн
6000+1.64 грн
9000+1.54 грн
15000+1.33 грн
21000+1.26 грн
30000+1.20 грн
75000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC848CLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVBC848CLT1G за ціною від 1.60 грн до 11.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G Виробник : ONSEMI 2907296.pdf Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.90 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 114124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.91 грн
55+5.81 грн
100+3.57 грн
500+2.42 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100 mA, 30 V, NPN Bipolar Junction Transistor
на замовлення 20272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.69 грн
55+6.41 грн
100+3.51 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
3000+1.76 грн
6000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G Виробник : ONSEMI 2907296.pdf Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.48 грн
123+6.97 грн
198+4.34 грн
500+2.90 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G Виробник : ONSEMI bc846alt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.