Продукція > ONSEMI > NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G

NSVBC856BM3T5G onsemi


bc856bm3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.71 грн
16000+3.25 грн
24000+3.08 грн
40000+2.71 грн
56000+2.61 грн
80000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC856BM3T5G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NSVBC856BM3T5G за ціною від 2.79 грн до 20.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : onsemi bc856bm3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 16031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.75 грн
28+12.15 грн
100+4.84 грн
1000+3.89 грн
8000+3.08 грн
24000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : onsemi bc856bm3-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 85830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
25+12.23 грн
100+7.65 грн
500+5.29 грн
1000+4.68 грн
2000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : ONSEMI 1924968.pdf Description: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : ONSEMI 1924968.pdf Description: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc856bm3-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.