Продукція > ONSEMI > NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G

NSVBC856BM3T5G onsemi


bc856bm3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.8 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC856BM3T5G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NSVBC856BM3T5G за ціною від 2.74 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : onsemi bc856bm3-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
18+ 16.06 грн
100+ 7.84 грн
500+ 6.14 грн
1000+ 4.27 грн
2000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : onsemi BC856BM3_D-2310187.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Bipolar Transistor
на замовлення 25611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.09 грн
18+ 17.89 грн
100+ 6.34 грн
1000+ 3.87 грн
2500+ 3.47 грн
8000+ 2.94 грн
24000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : ONSEMI 1924968.pdf Description: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : ONSEMI 1924968.pdf Description: ONSEMI - NSVBC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G Виробник : ON Semiconductor bc856bm3-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товар відсутній