Продукція > ONSEMI > NSVBC858CLT1G
NSVBC858CLT1G

NSVBC858CLT1G onsemi

bc856alt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC858CLT1G onsemi

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції NSVBC858CLT1G за ціною від 1.79 грн до 18.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVBC858CLT1G NSVBC858CLT1G ONSEMI bc856alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
40+10.73 грн
100+6.06 грн
500+3.68 грн
1000+2.26 грн
3000+1.99 грн
6000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1G NSVBC858CLT1G onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1G ONN bc856alt1-d.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1G bc856alt1-d.pdf
NSVBC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
40+10.73 грн
100+6.06 грн
500+3.68 грн
1000+2.26 грн
3000+1.99 грн
6000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1G bc856alt1-d.pdf
NSVBC858CLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC858CLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.