Продукція > ONSEMI > NSVBCH807-25LT1G
NSVBCH807-25LT1G

NSVBCH807-25LT1G onsemi


bch807-16lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.49 грн
6000+3.89 грн
9000+3.67 грн
15000+3.21 грн
21000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBCH807-25LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBCH807-25LT1G за ціною від 4.82 грн до 22.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBCH807-25LT1G NSVBCH807-25LT1G Виробник : onsemi bch807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
25+12.69 грн
100+5.86 грн
500+5.44 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1G Виробник : ON Semiconductor bch807-16lt1-d.pdf PNP Bipolar Transistor AEC Q101.revD Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-25LT1G NSVBCH807-25LT1G Виробник : onsemi BCH807_16LT1_D-2310272.pdf Bipolar Transistors - BJT +175C TJ(MAX) PNP Bipolar Transistor AEC-Q101.revD Qualified, +175C TJ(MAX)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.