Продукція > ONSEMI > NSVBCH807-40LT1G
NSVBCH807-40LT1G

NSVBCH807-40LT1G onsemi


bch807-16lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEGC
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.10 грн
20+16.76 грн
100+8.30 грн
500+5.58 грн
1000+4.53 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBCH807-40LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBCH807-40LT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBCH807-40LT1G NSVBCH807-40LT1G Виробник : onsemi bch807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCH807-40LT1G NSVBCH807-40LT1G Виробник : onsemi bch807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.