на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.59 грн |
| 10+ | 37.50 грн |
| 100+ | 21.48 грн |
| 500+ | 16.88 грн |
| 1000+ | 14.43 грн |
| 3000+ | 11.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBCP5310MTWG onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVBCP5310MTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVBCP5310MTWG | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNWPackaging: Bulk Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 875 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |