Продукція > ONSEMI > NSVBCP5316MTWG
NSVBCP5316MTWG

NSVBCP5316MTWG onsemi


bcp53m-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.32 грн
10+33.80 грн
100+21.82 грн
500+15.63 грн
1000+14.07 грн
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBCP5316MTWG onsemi

Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBCP5316MTWG за ціною від 11.39 грн до 60.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBCP5316MTWG NSVBCP5316MTWG Виробник : onsemi BCP53M_D-3538042.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.57 грн
10+36.88 грн
100+21.13 грн
500+16.60 грн
1000+14.64 грн
3000+12.30 грн
6000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.