Продукція > ONSEMI > NSVBCP53MTWG
NSVBCP53MTWG

NSVBCP53MTWG onsemi

bcp53m-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.69 грн
6000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBCP53MTWG onsemi

Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBCP53MTWG за ціною від 11.56 грн до 70.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVBCP53MTWG NSVBCP53MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.72 грн
10+36.64 грн
100+23.69 грн
500+16.97 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWG NSVBCP53MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+70.61 грн
10+46.86 грн
100+25.71 грн
500+18.45 грн
1000+16.00 грн
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWG bcp53m-d.pdf
NSVBCP53MTWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.72 грн
10+36.64 грн
100+23.69 грн
500+16.97 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP53MTWG bcp53m-d.pdf
NSVBCP53MTWG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.61 грн
10+46.86 грн
100+25.71 грн
500+18.45 грн
1000+16.00 грн
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.