NSVBCP53MTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.88 грн |
| 10+ | 34.59 грн |
| 100+ | 22.35 грн |
| 500+ | 16.01 грн |
| 1000+ | 14.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBCP53MTWG onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVBCP53MTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVBCP53MTWG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2 |
на замовлення 10749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVBCP53MTWG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
на замовлення 10749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)