NSVBCP5610MTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.80 грн |
| 10+ | 30.90 грн |
| 100+ | 19.92 грн |
| 500+ | 14.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBCP5610MTWG onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVBCP5610MTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVBCP5610MTWG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2 |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVBCP5610MTWG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2
Bipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)