Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSVBCP68T1G

NSVBCP68T1G ON Semiconductor

Name: NSVBCP68T1G
Brand: onsemi
SKU: 4864134-4
Price: 399.42 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSVBCP68T1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 20V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1.5 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVBCP68T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NSVBCP68T1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 20V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVBCP68T1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 20V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVBCP68T1G	Виробник : onsemi	Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVBCP68T1G	Виробник : ONSEMI	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 85...375 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz Application: automotive industry	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.