Продукція > ONSEMI > NSVBCP69T1G

NSVBCP69T1G onsemi


bcp69t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBCP69T1G onsemi

Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції NSVBCP69T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVBCP69T1G ON Semiconductor bcp69t1-d.pdf
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1G bcp69t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.