NSVBCW32LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBCW32LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Power - Max: 225 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSVBCW32LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
NSVBCW32LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| NSVBCW32LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику
од. на суму грн.



