Продукція > ONSEMI > NSVBSS63LT1G
NSVBSS63LT1G

NSVBSS63LT1G onsemi

bss63lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.21 грн
6000+5.40 грн
9000+5.11 грн
15000+4.49 грн
21000+4.30 грн
30000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBSS63LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V, Frequency - Transition: 95MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції NSVBSS63LT1G за ціною від 4.11 грн до 28.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVBSS63LT1G NSVBSS63LT1G Виробник : onsemi BSS63LT1_D-2310634.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.49 грн
26+13.00 грн
100+5.36 грн
1000+4.99 грн
3000+4.40 грн
9000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBSS63LT1G NSVBSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 44865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
18+17.12 грн
100+10.76 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.