NSVDTA113EM3T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 260 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-723
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.78 грн |
| 29+ | 10.50 грн |
| 100+ | 6.54 грн |
| 500+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 3.97 грн |
| 2000+ | 3.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVDTA113EM3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SOT-723, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2, Qualification: AEC-Q101, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Power - Max: 260 mW.
Інші пропозиції NSVDTA113EM3T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NSVDTA113EM3T5G | onsemi |
Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST |
на замовлення 7059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVDTA113EM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)