Технічний опис NSVDTA123EM3T5G ON Semiconductor
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ, Type of transistor: PNP, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.6W, Case: SOT723, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 2.2kΩ, Base-emitter resistor: 2.2kΩ, Current gain: 8...15, Application: automotive industry, Quantity in set/package: 8000pcs..
Інші пропозиції NSVDTA123EM3T5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVDTA123EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
NSVDTA123EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
NSVDTA123EM3T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.6W Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Current gain: 8...15 Application: automotive industry Quantity in set/package: 8000pcs. |
товару немає в наявності |