Продукція > ONSEMI > NSVDTA123JM3T5G
NSVDTA123JM3T5G

NSVDTA123JM3T5G onsemi

DTA123J-D.PDF Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7672+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 7672
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVDTA123JM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVDTA123JM3T5G за ціною від 2.71 грн до 26.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVDTA123JM3T5G NSVDTA123JM3T5G Виробник : onsemi DTA123J-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.10 грн
16000+3.27 грн
24000+3.21 грн
56000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5G NSVDTA123JM3T5G Виробник : onsemi DTA123J-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
18+17.35 грн
100+8.47 грн
500+6.63 грн
1000+4.61 грн
2000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA123JM3T5G NSVDTA123JM3T5G Виробник : onsemi DTA123J_D-2310944.pdf Digital Transistors SS SOT723BR XSTR PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.