NSVDTC114YM3T5G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVDTC114YM3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVDTC114YM3T5G за ціною від 2.45 грн до 25.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSVDTC114YM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVDTC114YM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT723 BIAS RES XSTR |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|