NSVDTC123EM3T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.09 грн |
| 30+ | 10.10 грн |
| 100+ | 6.25 грн |
| 500+ | 4.31 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| 2000+ | 3.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVDTC123EM3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції NSVDTC123EM3T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NSVDTC123EM3T5G | onsemi |
Digital Transistors SOT723 BIAS RESISTOR |
на замовлення 2509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVDTC123EM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors SOT723 BIAS RESISTOR
Digital Transistors SOT723 BIAS RESISTOR
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)